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イオンビームスパッタ
印刷用ページを表示する 更新日：2024年6月20日更新
- 分類
- N：半導体製造・MEMS加工
- 対象
- 仕様
プラズマ生成方式：電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance：ECR）
イオン銃：成膜用2基、イオンアシスト用1基 計3基のイオン銃
イオン加速電圧：成膜用 1000V から 3000V まで、アシスト用20V から 3000V まで（3レンジ）
最大試料寸法：直径100mm
試料固定方式：押さえ爪式、またはリング押さえ式（直径2インチ、直径3インチ、直径4インチ）
真空度：動作範囲 6×10-3Pa から 2×10-2Pa まで （到達真空度 1×10-4Pa台）- 用途
- イオンビームスパッタ成膜
- 製造者
- 株式会社エリオニクス
- 型番
- EIS-230P
- 導入年度
- 2011
- 設置場所
- 本部
- グループ
- 電気技術グループ
- 試験規格対応
- 備考
設備はクリーンルーム内にあります。
重量のある試料は取付不能です（落下の恐れがあります）。
試料は水冷（室温）専用で、加熱機構は備えておりませんのでご注意ください。【MEMS関連設備】
以下のウェブページに記載の関連設備をご参照ください。
/site/electronics/mems.html/
| 設備利用 | 分類番号 | 試験項目 | 項目コード | 中小料金 | 一般料金 |
|---|---|---|---|---|---|
| 機器利用 | 9.13. | 成膜装置 イオンビームスパッタ [1時間につき] | S92421 | 2,600円 | 5,350円 |
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