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N：半導体製造・MEMS加工
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- 設置場所
- 本部
- 電気技術グループ
- 用途
- イオンエッチング、イオンミリング、イオンビームスパッタ成膜、イオンミキシングスパッタ成膜
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- 本部
- 電気技術グループ
- 用途
- 耐プラズマ試験、アッシング、基板表面処理、ドライエッチング
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- 本部
- 電気技術グループ
- 用途
- イオンビームスパッタ成膜
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- 本部
- 電気技術グループ
- 用途
- ワイヤ（Au、アルミ）によるチップ部品の配線
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- 設置場所
- 本部
- 電気技術グループ
- 用途
- 接着材（導電性ペースト、絶縁性ペースト）によるチップ部品の実装
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- 本部
- 電気技術グループ
- 用途
- リソグラフィ用レジスト膜の成膜、樹脂材料の塗布など
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- 電気技術グループ
- 用途
- フォトレジストの現像処理
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- 用途
- シリコンウエハおよびガラス基板（厚さ1mm以下）の切断加工
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- 電気技術グループ
- 用途
- 接着材、ハンダペースト等のパターンニング塗布、樹脂埋め込み等
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- 用途
- ナノインプリント
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- 電気技術グループ
- 用途
- チップ部品と基板のバンプ接合
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- 電気技術グループ
- 用途
- 有機物、無機物の汚れを表面プラズマ洗浄により除去。接着性改善。
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- 用途
- ワイヤ（Au線）によるチップ部品の配線、及びバンプ形成
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- 用途
- ワイヤプルテスト、ボールシェアテスト、ダイシェアテスト等の接合強度評価
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- 用途
- 絶縁体、導体、磁性体の成膜
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- 電気技術グループ
- 用途
- フォトリソグラフィによるレジストの微細パターニング（フォトマスク、微細電極、マイクロ流路、マイクロレンズ等の試作・加工）
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- 電気技術グループ
- 用途
- 共晶材（AuSn等）によるチップ部品の実装
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- 用途
- シリコンのエッチング：トレンチ（溝）形成や貫通加工可能
耐プラズマ試験
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- 用途
- シリコンウエハ等、基板上の段差や表面形状の測定
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- 電気技術グループ
- 用途
- 太線ワイヤによるチップ部品の配線
